RQJ0305EQDQS#H1
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| Numero parte | RQJ0305EQDQS#H1 |
| PNEDA Part # | RQJ0305EQDQS-H1 |
| Descrizione | MOSFET P-CH UPAK |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.472 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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RQJ0305EQDQS#H1 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RQJ0305EQDQS#H1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
RQJ0305EQDQS#H1, RQJ0305EQDQS#H1 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 119,61 KB)
  
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RQJ0305EQDQS#H1 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | +8V, -12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | UPAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-243AA |
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