RQ6E085BNTCR
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| Numero parte | RQ6E085BNTCR |
| PNEDA Part # | RQ6E085BNTCR |
| Descrizione | NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.236 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 11 - apr 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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RQ6E085BNTCR Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RQ6E085BNTCR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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RQ6E085BNTCR Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.5A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.4mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32.7nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-457 |
| Pacchetto / Custodia | SC-74, SOT-457 |
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