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RQ5E040AJTCL

RQ5E040AJTCL

Solo per riferimento

Numero parte RQ5E040AJTCL
PNEDA Part # RQ5E040AJTCL
Descrizione MOSFET N-CH 30V 4A SC96
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 50.964
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RQ5E040AJTCL Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRQ5E040AJTCL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
RQ5E040AJTCL, RQ5E040AJTCL Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 2.898,02 KB)
PDFRQ5E040AJTCL Datasheet Copertura
RQ5E040AJTCL Datasheet Pagina 2 RQ5E040AJTCL Datasheet Pagina 3 RQ5E040AJTCL Datasheet Pagina 4 RQ5E040AJTCL Datasheet Pagina 5 RQ5E040AJTCL Datasheet Pagina 6 RQ5E040AJTCL Datasheet Pagina 7 RQ5E040AJTCL Datasheet Pagina 8 RQ5E040AJTCL Datasheet Pagina 9 RQ5E040AJTCL Datasheet Pagina 10 RQ5E040AJTCL Datasheet Pagina 11

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RQ5E040AJTCL Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs37mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.3nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds480pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1W (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTSMT3
Pacchetto / CustodiaSC-96

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3076pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.9W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8

IRFP048RPBF

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

190W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

IRFS7437-7PPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®, StrongIRFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

195A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7437pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

231W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK (7-Lead)

Pacchetto / Custodia

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

2N6660

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

410mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 24V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

6.25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta), 69A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3800pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura di esercizio

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