RN1964FE(TE85L,F)
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Numero parte | RN1964FE(TE85L,F) |
PNEDA Part # | RN1964FE-TE85L-F |
Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.034 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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RN1964FE(TE85L Risorse
Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | RN1964FE(TE85L,F) |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
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RN1964FE(TE85L Specifiche
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | - |
Tipo di transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
Resistenza - Base (R1) | 47kOhms |
Resistenza - Base Emettitore (R2) | 47kOhms |
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Taglio collettore (Max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
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