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RN1902T5LFT

RN1902T5LFT

Solo per riferimento

Numero parte RN1902T5LFT
PNEDA Part # RN1902T5LFT
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.844
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RN1902T5LFT Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRN1902T5LFT
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
RN1902T5LFT, RN1902T5LFT Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 460,73 KB)
PDFRN1906 Datasheet Copertura
RN1906 Datasheet Pagina 2 RN1906 Datasheet Pagina 3 RN1906 Datasheet Pagina 4 RN1906 Datasheet Pagina 5 RN1906 Datasheet Pagina 6 RN1906 Datasheet Pagina 7

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RN1902T5LFT Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistor2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)10kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)10kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione250MHz
Potenza - Max200mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreUS6

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

230mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-553

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-553

BCR133SH6433XTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

130MHz

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

HD1A3M(0)-T1-AZ

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

HD1

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Resistenza - Base (R1)

1kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

1kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 2V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

2W

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-62

XP0111500L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

80MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

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