RN1422TE85LF
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| Numero parte | RN1422TE85LF |
| PNEDA Part # | RN1422TE85LF |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.592 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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RN1422TE85LF Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RN1422TE85LF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
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RN1422TE85LF Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 800mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 2.2 kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 65 @ 100mA, 1V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | 300MHz |
| Potenza - Max | 200mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | S-Mini |
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