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RN1103CT(TPL3)

RN1103CT(TPL3)

Solo per riferimento

Numero parte RN1103CT(TPL3)
PNEDA Part # RN1103CT-TPL3
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.356
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RN1103CT(TPL3) Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRN1103CT(TPL3)
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
RN1103CT(TPL3), RN1103CT(TPL3) Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 186,88 KB)
PDFRN1106CT(TPL3) Datasheet Copertura
RN1106CT(TPL3) Datasheet Pagina 2 RN1106CT(TPL3) Datasheet Pagina 3 RN1106CT(TPL3) Datasheet Pagina 4 RN1106CT(TPL3) Datasheet Pagina 5 RN1106CT(TPL3) Datasheet Pagina 6 RN1106CT(TPL3) Datasheet Pagina 7 RN1106CT(TPL3) Datasheet Pagina 8

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  • RN1103CT(TPL3) Distributor

RN1103CT(TPL3) Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistorNPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)20V
Resistenza - Base (R1)22 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)22 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic150mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max50mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-101, SOT-883
Pacchetto dispositivo fornitoreCST3

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Serie

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PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

22 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-523

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Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Resistenza - Base (R1)

1 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

140 @ 100mA, 2V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

260MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

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