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RMPG06JHE3_A/73

RMPG06JHE3_A/73

Solo per riferimento

Numero parte RMPG06JHE3_A/73
PNEDA Part # RMPG06JHE3_A-73
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.184
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 7 - nov 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RMPG06JHE3_A/73 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRMPG06JHE3_A/73
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
RMPG06JHE3_A/73, RMPG06JHE3_A/73 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 73,25 KB)
PDFRMPG06KHE3/54 Datasheet Copertura
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RMPG06JHE3_A/73 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.3V @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)200ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F6.6pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaMPG06, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreMPG06
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-216AA

Pacchetto dispositivo fornitore

Powermite

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

PMEG3010EGWJ

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

560mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

55pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

CDBM140L-G

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

400mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 40V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123T

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini SMA/SOD-123

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 100°C

VS-25F120

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 78A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

12mA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AA, DO-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-203AA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

50WQ03FNTRR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

460mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-PAK (TO-252AA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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