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RJH65D27BDPQ-A0#T0

RJH65D27BDPQ-A0#T0

Solo per riferimento

Numero parte RJH65D27BDPQ-A0#T0
PNEDA Part # RJH65D27BDPQ-A0-T0
Descrizione IGBT 650V
Produttore Renesas Electronics America
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Disponibile 6.660
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJH65D27BDPQ-A0#T0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJH65D27BDPQ-A0#T0
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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RJH65D27BDPQ-A0#T0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Potenza - Max-
Switching Energy-
Tipo di ingresso-
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

14A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

Potenza - Max

54W

Switching Energy

70µJ (on), 120µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

25nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

9ns/65ns

Condizione di test

480V, 7A, 22Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

FGP15N60UNDF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

Potenza - Max

178W

Switching Energy

370µJ (on), 67µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

43nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

9.3ns/54.8ns

Condizione di test

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

82.4ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

7A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 3A

Potenza - Max

22W

Switching Energy

32µJ (on), 24µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

12nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

6.7ns/46ns

Condizione di test

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

23ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Potenza - Max

161W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

40nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/75ns

Condizione di test

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

58ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

78A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

Potenza - Max

370W

Switching Energy

350µJ (on), 825µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

102nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

46ns/185ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

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Pacchetto / Custodia

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