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RJH60M2DPE-00#J3

RJH60M2DPE-00#J3

Solo per riferimento

Numero parte RJH60M2DPE-00#J3
PNEDA Part # RJH60M2DPE-00-J3
Descrizione IGBT 600V 25A 63W LDPAK
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.024
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJH60M2DPE-00#J3 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJH60M2DPE-00#J3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
RJH60M2DPE-00#J3, RJH60M2DPE-00#J3 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 93,13 KB)
PDFRJH60M2DPE-00#J3 Datasheet Copertura
RJH60M2DPE-00#J3 Datasheet Pagina 2 RJH60M2DPE-00#J3 Datasheet Pagina 3 RJH60M2DPE-00#J3 Datasheet Pagina 4 RJH60M2DPE-00#J3 Datasheet Pagina 5 RJH60M2DPE-00#J3 Datasheet Pagina 6 RJH60M2DPE-00#J3 Datasheet Pagina 7 RJH60M2DPE-00#J3 Datasheet Pagina 8 RJH60M2DPE-00#J3 Datasheet Pagina 9 RJH60M2DPE-00#J3 Datasheet Pagina 10

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RJH60M2DPE-00#J3 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBTTrench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)25A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
Potenza - Max63W
Switching Energy180µJ (on), 180µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge33nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C32ns/70ns
Condizione di test300V, 12A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)85ns
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-83
Pacchetto dispositivo fornitore4-LDPAK

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Produttore

ON Semiconductor

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Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 10A

Potenza - Max

44.6W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

65nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/130ns

Condizione di test

200V, 20A, 20Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

24A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

Potenza - Max

140W

Switching Energy

75µJ (on), 225µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

25nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

31ns/83ns

Condizione di test

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

68ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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-

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-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

13A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

Potenza - Max

45W

Switching Energy

85µJ (on), 95µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

25nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/70ns

Condizione di test

300V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

55ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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