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RJH60F3DPK-00#T0

RJH60F3DPK-00#T0

Solo per riferimento

Numero parte RJH60F3DPK-00#T0
PNEDA Part # RJH60F3DPK-00-T0
Descrizione IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.004
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata set 23 - set 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJH60F3DPK-00#T0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJH60F3DPK-00#T0
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
RJH60F3DPK-00#T0, RJH60F3DPK-00#T0 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 88,3 KB)
PDFRJH60F3DPK-00#T0 Datasheet Copertura
RJH60F3DPK-00#T0 Datasheet Pagina 2 RJH60F3DPK-00#T0 Datasheet Pagina 3 RJH60F3DPK-00#T0 Datasheet Pagina 4 RJH60F3DPK-00#T0 Datasheet Pagina 5 RJH60F3DPK-00#T0 Datasheet Pagina 6 RJH60F3DPK-00#T0 Datasheet Pagina 7 RJH60F3DPK-00#T0 Datasheet Pagina 8

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  • RJH60F3DPK-00#T0 Distributor

RJH60F3DPK-00#T0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBTTrench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)40A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.82V @ 15V, 20A
Potenza - Max178.5W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)140ns
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

90nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/183ns

Condizione di test

400V, 15A, 15Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

110ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

SGW50N60HSFKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 50A

Potenza - Max

416W

Switching Energy

1.96mJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

179nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

47ns/310ns

Condizione di test

400V, 50A, 6.8Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

IXGH12N60C

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Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

24A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

90µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

32nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/60ns

Condizione di test

480V, 12A, 18Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

14A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 7A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

165µJ (on), 600µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

23nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

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-

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Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

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