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RGT8BM65DTL

RGT8BM65DTL

Solo per riferimento

Numero parte RGT8BM65DTL
PNEDA Part # RGT8BM65DTL
Descrizione IGBT 650V 8A 62W TO-252
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.658
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RGT8BM65DTL Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRGT8BM65DTL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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RGT8BM65DTL Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)8A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A
Potenza - Max62W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge13.5nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C17ns/69ns
Condizione di test400V, 4A, 50Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)40ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

160A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 80A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

2.5mJ (on), 1.76mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

345nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/90ns

Condizione di test

300V, 80A, 3.9Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264-3

STGP30V60F

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Potenza - Max

260W

Switching Energy

383µJ (on), 233µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

163nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

45ns/189ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

76A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

152A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 39A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

4mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

110nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/250ns

Condizione di test

480V, 39A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

STGF3NB60FD

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 3A

Potenza - Max

25W

Switching Energy

125µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

16nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12.5ns/105ns

Condizione di test

480V, 3A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

45ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

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Gate Charge

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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