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RGL34BHE3/98

RGL34BHE3/98

Solo per riferimento

Numero parte RGL34BHE3/98
PNEDA Part # RGL34BHE3-98
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.796
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RGL34BHE3/98 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRGL34BHE3/98
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
RGL34BHE3/98, RGL34BHE3/98 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 76,92 KB)
PDFRGL34JHE3/98 Datasheet Copertura
RGL34JHE3/98 Datasheet Pagina 2 RGL34JHE3/98 Datasheet Pagina 3 RGL34JHE3/98 Datasheet Pagina 4

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RGL34BHE3/98 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieSUPERECTIFIER®
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.3V @ 500mA
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F4pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-213AA (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-213AA (GL34)
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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SE20AFBHM3/6A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

12pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-221AC, SMA Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-221AC (SlimSMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

FR201G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AC, DO-15, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AC (DO-15)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

RSX301L-30TE25

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

420mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

PMDS

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

SR815HR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.02V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

RJU4352SDPD-E0#J2

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

430V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 430V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Venduto di recente

J201

J201

ON Semiconductor

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

KT2520Y40000ECV28TBA

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Kyocera

XTAL OSC TCXO 40.0000MHZ SNWV

NLC565050T-101K-PF

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TDK

FIXED IND 100UH 250MA 1.6 OHM

DHRB34C102M2FB

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Murata

CAP CER 1000PF 15KV RADIAL

PSMN4R5-30YLC,115

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Nexperia

MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK

IRLML2803TRPBF

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MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23

FHAC0001ZXJ

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Littelfuse

FUSE HLDR BLADE 32V 20A IN LINE

IM03GR

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TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY TELECOM DPDT 2A 5VDC

MAX3224EEAP+T

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Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

TS922IDT

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STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

WSL120600000ZEA9

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Vishay Dale

RES 0 OHM JUMPER 1206

PTN3363BSMP

PTN3363BSMP

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IC DVI/HDMI LVL SHIFTER 32HVQFN