RFN1LAM7STR
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| Numero parte | RFN1LAM7STR |
| PNEDA Part # | RFN1LAM7STR |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.358 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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RFN1LAM7STR Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RFN1LAM7STR |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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RFN1LAM7STR Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 700V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 800mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 800mA |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 80ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 700V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOD-128 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PMDTM |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 150°C (Max) |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F 17pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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