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RF081LAM2STR

RF081LAM2STR

Solo per riferimento

Numero parte RF081LAM2STR
PNEDA Part # RF081LAM2STR
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.160
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 7 - apr 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RF081LAM2STR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRF081LAM2STR
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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RF081LAM2STR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)1.1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If980mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOD-128
Pacchetto dispositivo fornitorePMDTM
Temperatura di esercizio - Giunzione150°C (Max)

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

85A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 266.9A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-203AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

S5MS-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.6A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

940mV @ 2.5A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2.5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

VS-65EPF06L-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

10ETS08S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 10A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB (D²PAK)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

JANTXV1N3595-1

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/241

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

125V

Corrente - Media Rettificata (Io)

150mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 200mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

3µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1nA @ 125V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AH, DO-35, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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