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RC3216F7320CS

RC3216F7320CS

Solo per riferimento

Numero parte RC3216F7320CS
PNEDA Part # RC3216F7320CS
Descrizione RES 732 OHM 1% 1/4W 1206
Produttore Samsung Electro-Mechanics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.562
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 8 - lug 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RC3216F7320CS Risorse

Brand Samsung Electro-Mechanics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRC3216F7320CS
CategoriaComponenti passiviResistoriResistore in chip - Montaggio superficiale

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RC3216F7320CS Specifiche

ProduttoreSamsung Electro-Mechanics
SerieRC
Resistenza732 Ohms
Tolleranza±1%
Potenza (Watt)0.25W, 1/4W
ComposizioneThick Film
CaratteristicheMoisture Resistant
Coefficiente di temperatura±100ppm/°C
Temperatura di esercizio-55°C ~ 155°C
Pacchetto / Custodia1206 (3216 Metric)
Pacchetto dispositivo fornitore1206
Taglia / Dimensione0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Altezza - Seduto (Max)0.026" (0.66mm)
Numero di cessazioni2
Tasso di fallimento-

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Produttore

Susumu

Serie

RG

Resistenza

20.5 kOhms

Tolleranza

±0.25%

Potenza (Watt)

0.25W, 1/4W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200

Coefficiente di temperatura

±25ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

1206 (3216 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

1206

Taglia / Dimensione

0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.020" (0.50mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

ERJ-1GNF30R0C

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

ERJ

Resistenza

30 Ohms

Tolleranza

±1%

Potenza (Watt)

0.05W, 1/20W

Composizione

Thick Film

Caratteristiche

Automotive AEC-Q200

Coefficiente di temperatura

±200ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C

Pacchetto / Custodia

0201 (0603 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0201

Taglia / Dimensione

0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.010" (0.26mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Produttore

Bourns

Serie

CR0402

Resistenza

604 kOhms

Tolleranza

±1%

Potenza (Watt)

0.063W, 1/16W

Composizione

Thick Film

Caratteristiche

-

Coefficiente di temperatura

±100ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0402 (1005 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0402

Taglia / Dimensione

0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.016" (0.40mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

RNCF2010DTE35R7

Stackpole Electronics

Produttore

Stackpole Electronics

Serie

RNCF

Resistenza

35.7 Ohms

Tolleranza

±0.5%

Potenza (Watt)

0.333W, 1/3W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

Automotive AEC-Q200

Coefficiente di temperatura

±25ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

2010 (5025 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

2010

Taglia / Dimensione

0.193" L x 0.094" W (4.90mm x 2.40mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.026" (0.65mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

RNCF0603DKE2R55

Stackpole Electronics

Produttore

Stackpole Electronics

Serie

RNCF

Resistenza

2.55 Ohms

Tolleranza

±0.5%

Potenza (Watt)

0.063W, 1/16W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

Automotive AEC-Q200

Coefficiente di temperatura

±25ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0603 (1608 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0603

Taglia / Dimensione

0.061" L x 0.031" W (1.55mm x 0.80mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.022" (0.55mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Venduto di recente

CY8C24123A-24SXI

CY8C24123A-24SXI

Cypress Semiconductor

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 8SOIC

MIC47100YMME

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Microchip Technology

IC REG LINEAR POS ADJ 1A 8MSOP

WSL120600000ZEA9

WSL120600000ZEA9

Vishay Dale

RES 0 OHM JUMPER 1206

BLM18KG121TN1D

BLM18KG121TN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

5596101027F

5596101027F

Dialight

LED PMI SNAP-IN RED PVC FREE

FDS6675

FDS6675

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC

RS1MB-13-F

RS1MB-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB

US6K1TR

US6K1TR

Rohm Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6

EP3SL50F780C3N

EP3SL50F780C3N

Intel

IC FPGA 488 I/O 780FBGA

1410-L110-L1F1-S01-4A

1410-L110-L1F1-S01-4A

E-T-A

CIR BRKR THRM 4A 250VAC 50VDC

74HC164D

74HC164D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC SHIFT REGISTER 8BIT 14SOP

IRF630NPBF

IRF630NPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB