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RB520S30T1G

RB520S30T1G

Solo per riferimento

Numero parte RB520S30T1G
PNEDA Part # RB520S30T1G
Descrizione DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 1.931.544
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Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RB520S30T1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRB520S30T1G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
RB520S30T1G, RB520S30T1G Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 52,47 KB)
PDFRB520S30T1 Datasheet Copertura
RB520S30T1 Datasheet Pagina 2 RB520S30T1 Datasheet Pagina 3

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RB520S30T1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media Rettificata (Io)200mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If600mV @ 200mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 10V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-79, SOD-523
Pacchetto dispositivo fornitoreSOD-523
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

980mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

R-1, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

8ETL06FP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

FRED Pt®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

250ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-2 Full Pack

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

IDH05G65C5XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 5A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

170µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

160pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-2-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

MBRH240150R

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

240A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

880mV @ 240A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-67

Pacchetto dispositivo fornitore

D-67

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

BYG24JHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 1.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

140ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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