R1LV1616RSD-5SI#B0
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| Numero parte | R1LV1616RSD-5SI#B0 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | R1LV1616RSD-5SI-B0 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC SRAM 16M PARALLEL 52TSOP II | ||||||||||||||||||
| Produttore | Renesas Electronics America | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 2.678 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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R1LV1616RSD-5SI#B0 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | R1LV1616RSD-5SI#B0 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
R1LV1616RSD-5SI#B0, R1LV1616RSD-5SI#B0 Datasheet
(Totale pagine: 18, Dimensioni: 132,28 KB)
  
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R1LV1616RSD-5SI#B0 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM |
| Dimensione della memoria | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 55ns |
| Tempo di accesso | 55ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 52-TSOP II |
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