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R1LV1616RBG-5SI#S0

R1LV1616RBG-5SI#S0

Solo per riferimento

Numero parte R1LV1616RBG-5SI#S0
PNEDA Part # R1LV1616RBG-5SI-S0
Descrizione IC SRAM 16M PARALLEL 48FBGA
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.210
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1LV1616RBG-5SI#S0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1LV1616RBG-5SI#S0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1LV1616RBG-5SI#S0, R1LV1616RBG-5SI#S0 Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 132,28 KB)
PDFR1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Copertura
R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 2 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 3 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 4 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 5 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 6 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 7 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 8 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 9 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 10 R1LV1616RSD-7SI#S0 Datasheet Pagina 11

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R1LV1616RBG-5SI#S0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-FBGA (7.5x8.5)

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

13.5ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tipo di montaggio

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

576Mb (16M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

1.28V ~ 1.42V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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