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QS8J1TR

QS8J1TR

Solo per riferimento

Numero parte QS8J1TR
PNEDA Part # QS8J1TR
Descrizione MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.340
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

QS8J1TR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteQS8J1TR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
QS8J1TR, QS8J1TR Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 184,39 KB)
PDFQS8J1TR Datasheet Copertura
QS8J1TR Datasheet Pagina 2 QS8J1TR Datasheet Pagina 3 QS8J1TR Datasheet Pagina 4 QS8J1TR Datasheet Pagina 5 QS8J1TR Datasheet Pagina 6

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QS8J1TR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2450pF @ 6V
Potenza - Max1.5W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreTSMT8

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 15V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 34A (Tc), 13.8A (Ta), 52A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.7mOhm @ 10A, 10V, 7.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V, 20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

910pF @ 15V, 1300pF @ 15V

Potenza - Max

1.9W (Ta), 22W (Tc), 2.1W (Ta), 30W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5900pF @ 20V

Potenza - Max

75W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 8 x 8 Dual

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1340pF @ 15V

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate, 5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

45A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1860pF @ 15V

Potenza - Max

2.8W

Temperatura di esercizio

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