PTAB182002TCV2R250XTMA1
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| Numero parte | PTAB182002TCV2R250XTMA1 |
| PNEDA Part # | PTAB182002TCV2R250XTMA1 |
| Descrizione | IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.030 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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PTAB182002TCV2R250XTMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PTAB182002TCV2R250XTMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - RF |
| Datasheet |
PTAB182002TCV2R250XTMA1, PTAB182002TCV2R250XTMA1 Datasheet
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PTAB182002TCV2R250XTMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | LDMOS |
| Frequenza | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Guadagno | 14.8dB |
| Tensione - Test | 28V |
| Corrente nominale (Amp) | 10µA |
| Figura di rumore | - |
| Corrente - Test | 520mA |
| Potenza - Uscita | 29W |
| Tensione - Nominale | 65V |
| Pacchetto / Custodia | H-49248H-4 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | H-49248H-4 |
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