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PSMNR90-40SSHJ

PSMNR90-40SSHJ

Solo per riferimento

Numero parte PSMNR90-40SSHJ
PNEDA Part # PSMNR90-40SSHJ
Descrizione PSMNR90-40SSH/SOT1235/LFPAK88
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.590
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PSMNR90-40SSHJ Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePSMNR90-40SSHJ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PSMNR90-40SSHJ, PSMNR90-40SSHJ Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 320,66 KB)
PDFPSMNR90-40SSHJ Datasheet Copertura
PSMNR90-40SSHJ Datasheet Pagina 2 PSMNR90-40SSHJ Datasheet Pagina 3 PSMNR90-40SSHJ Datasheet Pagina 4 PSMNR90-40SSHJ Datasheet Pagina 5 PSMNR90-40SSHJ Datasheet Pagina 6 PSMNR90-40SSHJ Datasheet Pagina 7 PSMNR90-40SSHJ Datasheet Pagina 8 PSMNR90-40SSHJ Datasheet Pagina 9 PSMNR90-40SSHJ Datasheet Pagina 10 PSMNR90-40SSHJ Datasheet Pagina 11

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PSMNR90-40SSHJ Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C375A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs166nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds12888pF @ 25V
Funzione FETSchottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max)375W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK88 (SOT1235)
Pacchetto / CustodiaSOT-1235

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

57A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 28.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2.85mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6250pF @ 300V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

360W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

IRL3303STRLPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

38A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 68W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

2SK4094-1E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12500pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.75W (Ta), 90W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IPP037N06L3GXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 93µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

79nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13000pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

167W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

TO-220-3

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Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1040pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-251 (IPAK)

Pacchetto / Custodia

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