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PSMN7R5-60YLX

PSMN7R5-60YLX

Solo per riferimento

Numero parte PSMN7R5-60YLX
PNEDA Part # PSMN7R5-60YLX
Descrizione MOSFET N-CH 60V LFPAK56
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 207.828
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PSMN7R5-60YLX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePSMN7R5-60YLX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PSMN7R5-60YLX, PSMN7R5-60YLX Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 762,14 KB)
PDFPSMN7R5-60YLX Datasheet Copertura
PSMN7R5-60YLX Datasheet Pagina 2 PSMN7R5-60YLX Datasheet Pagina 3 PSMN7R5-60YLX Datasheet Pagina 4 PSMN7R5-60YLX Datasheet Pagina 5 PSMN7R5-60YLX Datasheet Pagina 6 PSMN7R5-60YLX Datasheet Pagina 7 PSMN7R5-60YLX Datasheet Pagina 8 PSMN7R5-60YLX Datasheet Pagina 9 PSMN7R5-60YLX Datasheet Pagina 10 PSMN7R5-60YLX Datasheet Pagina 11

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PSMN7R5-60YLX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C86A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4570pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)147W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / CustodiaSC-100, SOT-669

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Serie

-

Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

76nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

39W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220 Full Pack

Pacchetto / Custodia

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TP2520N8-G

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

260mA (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

125pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.3nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

588pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89-3

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 10V

Funzione FET

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Dissipazione di potenza (max)

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

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