PSMN1R0-30YLC,115
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| Numero parte | PSMN1R0-30YLC,115 |
| PNEDA Part # | PSMN1R0-30YLC-115 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 118.752 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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PSMN1R0-30YLC Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PSMN1R0-30YLC,115 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
PSMN1R0-30YLC, PSMN1R0-30YLC Datasheet
(Totale pagine: 14, Dimensioni: 748,38 KB)
  
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PSMN1R0-30YLC Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 103.5nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6645pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 272W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
| Pacchetto / Custodia | SC-100, SOT-669 |
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Produttore NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 63A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.3nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1565pF @ 12V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia SC-100, SOT-669 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35.2nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1926pF @ 30V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252-4L Pacchetto / Custodia TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
