PSMN018-80YS,115
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| Numero parte | PSMN018-80YS,115 |
| PNEDA Part # | PSMN018-80YS-115 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 297.786 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 20 - nov 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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PSMN018-80YS Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PSMN018-80YS,115 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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PSMN018-80YS Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 40V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 89W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
| Pacchetto / Custodia | SC-100, SOT-669 |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 480mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.89nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 43pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DFN1006-3 Pacchetto / Custodia SC-101, SOT-883 |
Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ P7 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 950V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 7.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 360µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1053pF @ 400V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
Produttore Serie NexFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta), 59A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V Vgs (massimo) +16V, -12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 12.5V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 170µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.2nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 373pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-3 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 128nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6900pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 115W (Tc) Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
