PN5432
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| Numero parte | PN5432 |
| PNEDA Part # | PN5432 |
| Descrizione | JFET N-CH 25V 0.35W TO92 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.048 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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PN5432 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PN5432 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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PN5432 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 25V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 150mA @ 15V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 4V @ 3nA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 10V (VGS) |
| Resistenza - RDS (On) | 5 Ohms |
| Potenza - Max | 350mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 25V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 30mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1V @ 3nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On) 10 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 5V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 15V Resistenza - RDS (On) 150 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.2mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max 10mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 180mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V Resistenza - RDS (On) 200 Ohms Potenza - Max 100mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 3-XFDFN Pacchetto dispositivo fornitore 3-ECSP1006 |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 4V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On) 30 Ohms Potenza - Max 250mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB) |
