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PMDPB70EN,115

PMDPB70EN,115

Solo per riferimento

Numero parte PMDPB70EN,115
PNEDA Part # PMDPB70EN-115
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.704
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMDPB70EN Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMDPB70EN,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
PMDPB70EN, PMDPB70EN Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 977,75 KB)
PDFPMDPB70EN Datasheet Copertura
PMDPB70EN Datasheet Pagina 2 PMDPB70EN Datasheet Pagina 3 PMDPB70EN Datasheet Pagina 4 PMDPB70EN Datasheet Pagina 5 PMDPB70EN Datasheet Pagina 6 PMDPB70EN Datasheet Pagina 7 PMDPB70EN Datasheet Pagina 8 PMDPB70EN Datasheet Pagina 9 PMDPB70EN Datasheet Pagina 10 PMDPB70EN Datasheet Pagina 11

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PMDPB70EN Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs57mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds130pF @ 15V
Potenza - Max510mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore6-HUSON-EP (2x2)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A (Ta), 26A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 13µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Potenza - Max

3W (Ta), 19W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

FDZ1323NZ

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2055pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-XFBGA, WLCSP

Pacchetto dispositivo fornitore

6-WLCSP (1.3x2.3)

NTMC1300R2

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A, 1.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 20V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

FDG6301N

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

220mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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CAS325M12HM2

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

444A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 400A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

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