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PMCXB1000UEZ

PMCXB1000UEZ

Solo per riferimento

Numero parte PMCXB1000UEZ
PNEDA Part # PMCXB1000UEZ
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.302
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMCXB1000UEZ Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMCXB1000UEZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
PMCXB1000UEZ, PMCXB1000UEZ Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 775,81 KB)
PDFPMCXB1000UEZ Datasheet Copertura
PMCXB1000UEZ Datasheet Pagina 2 PMCXB1000UEZ Datasheet Pagina 3 PMCXB1000UEZ Datasheet Pagina 4 PMCXB1000UEZ Datasheet Pagina 5 PMCXB1000UEZ Datasheet Pagina 6 PMCXB1000UEZ Datasheet Pagina 7 PMCXB1000UEZ Datasheet Pagina 8 PMCXB1000UEZ Datasheet Pagina 9 PMCXB1000UEZ Datasheet Pagina 10 PMCXB1000UEZ Datasheet Pagina 11

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PMCXB1000UEZ Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETN and P-Channel Complementary
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C590mA (Ta), 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
Potenza - Max285mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-XFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreDFN1010B-6

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2130pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

BUK9K89-100E,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1108pF @ 25V

Potenza - Max

38W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-1205, 8-LFPAK56

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56D

FW344A-TL-2WX

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

NVMFD5C470NWFT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.7A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V

Potenza - Max

3.1W (Ta), 28W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

AON4807_101

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 15V

Potenza - Max

1.9W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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