PDTD113ES,126
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| Numero parte | PDTD113ES,126 |
| PNEDA Part # | PDTD113ES-126 |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.598 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 26 - mag 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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PDTD113ES Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PDTD113ES,126 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
| Datasheet |
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PDTD113ES Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 500mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 1 kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 500mW |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
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