PDTC123TE,115
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| Numero parte | PDTC123TE,115 |
| PNEDA Part # | PDTC123TE-115 |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.680 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 6 - dic 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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PDTC123TE Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PDTC123TE,115 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
| Datasheet |
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PDTC123TE Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 1µA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 150mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SC-75, SOT-416 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-75 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 200MHz Potenza - Max 200mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-89, SOT-490 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-523F |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 246mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 80mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione - Potenza - Max 100mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore CST3 |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SMT3; MPAK |
