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PDTA115EK,115

PDTA115EK,115

Solo per riferimento

Numero parte PDTA115EK,115
PNEDA Part # PDTA115EK-115
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.832
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PDTA115EK Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePDTA115EK,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
PDTA115EK, PDTA115EK Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 417,57 KB)
PDFPDTA115ES Datasheet Copertura
PDTA115ES Datasheet Pagina 2 PDTA115ES Datasheet Pagina 3 PDTA115ES Datasheet Pagina 4 PDTA115ES Datasheet Pagina 5 PDTA115ES Datasheet Pagina 6 PDTA115ES Datasheet Pagina 7 PDTA115ES Datasheet Pagina 8 PDTA115ES Datasheet Pagina 9 PDTA115ES Datasheet Pagina 10 PDTA115ES Datasheet Pagina 11

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PDTA115EK Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorPNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)20mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)100 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)100 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic150mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (Max)1µA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max250mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSMT3; MPAK

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-523

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-523

DTD113ECT116

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

1 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

1 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

33 @ 50mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SST3

MMUN2113LT3

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

246mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

DTC114EMT2L

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-723

Pacchetto dispositivo fornitore

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Diodes Incorporated

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Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 2.5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

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