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PDTA114YMB,315

PDTA114YMB,315

Solo per riferimento

Numero parte PDTA114YMB,315
PNEDA Part # PDTA114YMB-315
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.478
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata ott 3 - ott 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PDTA114YMB Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePDTA114YMB,315
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
PDTA114YMB, PDTA114YMB Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 836,79 KB)
PDFPDTA114YMB Datasheet Copertura
PDTA114YMB Datasheet Pagina 2 PDTA114YMB Datasheet Pagina 3 PDTA114YMB Datasheet Pagina 4 PDTA114YMB Datasheet Pagina 5 PDTA114YMB Datasheet Pagina 6 PDTA114YMB Datasheet Pagina 7 PDTA114YMB Datasheet Pagina 8 PDTA114YMB Datasheet Pagina 9 PDTA114YMB Datasheet Pagina 10 PDTA114YMB Datasheet Pagina 11

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PDTA114YMB Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorPNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)10 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)47 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic100mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (Max)1µA
Frequenza - Transizione180MHz
Potenza - Max250mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia3-XFDFN
Pacchetto dispositivo fornitoreDFN1006B-3

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UNR211V00L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

2.2 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

6 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1.5mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

80MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini3-G1

FJNS4202RTA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92S

DDTA113TE-7-F

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

1 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-523

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-523

PDTA114YUF

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

180MHz

Potenza - Max

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70

DTC143ZUBHZGTL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased + Diode

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

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