PDTA113EMB,315
Solo per riferimento
| Numero parte | PDTA113EMB,315 |
| PNEDA Part # | PDTA113EMB-315 |
| Descrizione | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.506 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
PDTA113EMB Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | PDTA113EMB,315 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- PDTA113EMB,315 Datasheet
- where to find PDTA113EMB,315
- Nexperia
- Nexperia PDTA113EMB,315
- PDTA113EMB,315 PDF Datasheet
- PDTA113EMB,315 Stock
- PDTA113EMB,315 Pinout
- Datasheet PDTA113EMB,315
- PDTA113EMB,315 Supplier
- Nexperia Distributor
- PDTA113EMB,315 Price
- PDTA113EMB,315 Distributor
PDTA113EMB Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | PNP - Pre-Biased |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 1 kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 40mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 1.5mA, 30mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | 180MHz |
| Potenza - Max | 250mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 3-XFDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1006B-3 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 70mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 150MHz Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore PG-SC-75 |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA (ICBO) Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 150mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore VMT3 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) - Resistenza - Base Emettitore (R2) 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA (ICBO) Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 150mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-523 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-523 |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 30mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 150mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore VMT3 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 150mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore USM |
