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NVMFS5C628NLT3G

NVMFS5C628NLT3G

Solo per riferimento

Numero parte NVMFS5C628NLT3G
PNEDA Part # NVMFS5C628NLT3G
Descrizione MOSFET N-CH 60V SO8FL
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 8.892
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NVMFS5C628NLT3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNVMFS5C628NLT3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NVMFS5C628NLT3G, NVMFS5C628NLT3G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 140,55 KB)
PDFNVMFS5C628NLWFT3G Datasheet Copertura
NVMFS5C628NLWFT3G Datasheet Pagina 2 NVMFS5C628NLWFT3G Datasheet Pagina 3 NVMFS5C628NLWFT3G Datasheet Pagina 4 NVMFS5C628NLWFT3G Datasheet Pagina 5 NVMFS5C628NLWFT3G Datasheet Pagina 6

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NVMFS5C628NLT3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 135µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3600pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.7W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

160A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4880pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

135W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STP80NF70

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

68V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

98A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.8mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2550pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

190W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IXTH44P15T

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

TrenchP™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

44A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

175nC @ 10V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

298W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 (IXTH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

BSC039N06NSATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta), 100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 36µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 69W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TDSON-8-6

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

FDMC007N08LC

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

66A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 120µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2940pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

57W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

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