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NVMFS5C466NT1G

NVMFS5C466NT1G

Solo per riferimento

Numero parte NVMFS5C466NT1G
PNEDA Part # NVMFS5C466NT1G
Descrizione 40V 7.3 MOHM T6 S08FL SIN
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 4.716
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NVMFS5C466NT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNVMFS5C466NT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NVMFS5C466NT1G, NVMFS5C466NT1G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 133,97 KB)
PDFNVMFS5C466NWFT1G Datasheet Copertura
NVMFS5C466NWFT1G Datasheet Pagina 2 NVMFS5C466NWFT1G Datasheet Pagina 3 NVMFS5C466NWFT1G Datasheet Pagina 4 NVMFS5C466NWFT1G Datasheet Pagina 5 NVMFS5C466NWFT1G Datasheet Pagina 6

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NVMFS5C466NT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15A (Ta), 49A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds625pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.5W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN, 5 Leads

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IXYS

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

70V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

420nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

417W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS247™

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS247™

R6020JNXC7G

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

234mOhm @ 10A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

7V @ 3.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 15V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

76W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FM

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

STP7N52DK3

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

SuperFREDmesh3™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

525V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.15Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

90W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

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IPSH6N03LA G

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2390pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

71W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

56A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.5nC @ 5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2651pF @ 25V

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-

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96W (Tc)

Temperatura di esercizio

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