NVMFD5C672NLWFT1G
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| Numero parte | NVMFD5C672NLWFT1G |
| PNEDA Part # | NVMFD5C672NLWFT1G |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.952 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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NVMFD5C672NLWFT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NVMFD5C672NLWFT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
NVMFD5C672NLWFT1G, NVMFD5C672NLWFT1G Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 138,48 KB)
  
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NVMFD5C672NLWFT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 49A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.9mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 30µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 793pF @ 25V |
| Potenza - Max | 3.1W (Ta), 45W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.1A, 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 15V Potenza - Max 1.9W, 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel, Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 35V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A, 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 25V Potenza - Max 1.54W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Pacchetto dispositivo fornitore TO-252-4L |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 1000V (1kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 22A Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V Potenza - Max 390W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP3 Pacchetto dispositivo fornitore SP3 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 299pF @ 15V Potenza - Max 1.7W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-MLP (3x2) |
