Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

NVMD4N03R2G

NVMD4N03R2G

Solo per riferimento

Numero parte NVMD4N03R2G
PNEDA Part # NVMD4N03R2G
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.640
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NVMD4N03R2G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNVMD4N03R2G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NVMD4N03R2G, NVMD4N03R2G Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 142,27 KB)
PDFNVMD4N03R2G Datasheet Copertura
NVMD4N03R2G Datasheet Pagina 2 NVMD4N03R2G Datasheet Pagina 3 NVMD4N03R2G Datasheet Pagina 4 NVMD4N03R2G Datasheet Pagina 5 NVMD4N03R2G Datasheet Pagina 6 NVMD4N03R2G Datasheet Pagina 7 NVMD4N03R2G Datasheet Pagina 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • NVMD4N03R2G Datasheet
  • where to find NVMD4N03R2G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NVMD4N03R2G
  • NVMD4N03R2G PDF Datasheet
  • NVMD4N03R2G Stock

  • NVMD4N03R2G Pinout
  • Datasheet NVMD4N03R2G
  • NVMD4N03R2G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NVMD4N03R2G Price
  • NVMD4N03R2G Distributor

NVMD4N03R2G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds400pF @ 20V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

I prodotti a cui potresti essere interessato

IRF7338PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.3A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 9V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

AUIRF7319Q

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A, 4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

UT6MA3TCR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A, 5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-PowerUDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

HUML2020L8

FDMS3660S

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1765pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

Power56

DMTH6016LPD-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.2A (Ta), 33.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

864pF @ 30V

Potenza - Max

2.5W (Ta), 37.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI5060-8

Venduto di recente

ATMEGA32U4-MUR

ATMEGA32U4-MUR

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44VQFN

BYG10D-E3/TR

BYG10D-E3/TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

MOCD217M

MOCD217M

ON Semiconductor

OPTOISO 2.5KV 2CH TRANS 8SOIC

MT41K512M16HA-125:A

MT41K512M16HA-125:A

Micron Technology Inc.

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

20CTQ045

20CTQ045

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB

MT47H64M16NF-25E AIT:M

MT47H64M16NF-25E AIT:M

Micron Technology Inc.

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

CXA-0359

CXA-0359

TDK

INVERTER DC/DC

7443551131

7443551131

Wurth Electronics

FIXED IND 13UH 10A 11.2 MOHM SMD

BC33725TA

BC33725TA

ON Semiconductor

TRANS NPN 45V 0.8A TO-92

LPC8N04FHI24Z

LPC8N04FHI24Z

NXP

IC MCU 32BIT 32KB FLASH 24HVQFN

MAX1686HEUA+T

MAX1686HEUA+T

Maxim Integrated

IC REG CHARG PUMP SIM 1OUT 8UMAX

MMBT2369LT1G

MMBT2369LT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 15V 0.2A SOT23