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NVLJD4007NZTAG

NVLJD4007NZTAG

Solo per riferimento

Numero parte NVLJD4007NZTAG
PNEDA Part # NVLJD4007NZTAG
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 55.134
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NVLJD4007NZTAG Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNVLJD4007NZTAG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NVLJD4007NZTAG, NVLJD4007NZTAG Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 138,45 KB)
PDFNVLJD4007NZTBG Datasheet Copertura
NVLJD4007NZTBG Datasheet Pagina 2 NVLJD4007NZTBG Datasheet Pagina 3 NVLJD4007NZTBG Datasheet Pagina 4 NVLJD4007NZTBG Datasheet Pagina 5 NVLJD4007NZTBG Datasheet Pagina 6

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NVLJD4007NZTAG Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C245mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs7Ohm @ 125mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds20pF @ 5V
Potenza - Max755mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore6-WDFN (2x2)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

24V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-EMH

IRF7910TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1730pF @ 6V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

SI5519DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 10V

Potenza - Max

10.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® ChipFET™ Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® ChipFet Dual

SI4967DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

BUK9K20-80EX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3462pF @ 25V

Potenza - Max

68W

Temperatura di esercizio

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