NTTFS5C670NLTWG
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| Numero parte | NTTFS5C670NLTWG |
| PNEDA Part # | NTTFS5C670NLTWG |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 16A 8WDFN |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.344 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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NTTFS5C670NLTWG Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTTFS5C670NLTWG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NTTFS5C670NLTWG, NTTFS5C670NLTWG Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 147,57 KB)
  
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NTTFS5C670NLTWG Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 70A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.2W (Ta), 63W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerWDFN |
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