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NTMFD4C50NT3G

NTMFD4C50NT3G

Solo per riferimento

Numero parte NTMFD4C50NT3G
PNEDA Part # NTMFD4C50NT3G
Descrizione MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.574
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTMFD4C50NT3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTMFD4C50NT3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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NTMFD4C50NT3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17.5A (Ta), 40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5404pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

FQPF30N06L

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 11.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1040pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

38W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

230W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

EPC2045

EPC

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 16A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 5V

Vgs (massimo)

+6V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

685pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

Pacchetto / Custodia

Die

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Produttore

IXYS

Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

53A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

48mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

205nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

312W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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