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NTLLD4951NFTWG

NTLLD4951NFTWG

Solo per riferimento

Numero parte NTLLD4951NFTWG
PNEDA Part # NTLLD4951NFTWG
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.794
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTLLD4951NFTWG Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTLLD4951NFTWG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTLLD4951NFTWG, NTLLD4951NFTWG Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 150 KB)
PDFNTLLD4951NFTWG Datasheet Copertura
NTLLD4951NFTWG Datasheet Pagina 2 NTLLD4951NFTWG Datasheet Pagina 3 NTLLD4951NFTWG Datasheet Pagina 4 NTLLD4951NFTWG Datasheet Pagina 5 NTLLD4951NFTWG Datasheet Pagina 6 NTLLD4951NFTWG Datasheet Pagina 7 NTLLD4951NFTWG Datasheet Pagina 8 NTLLD4951NFTWG Datasheet Pagina 9 NTLLD4951NFTWG Datasheet Pagina 10 NTLLD4951NFTWG Datasheet Pagina 11

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NTLLD4951NFTWG Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.5A, 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs17.4mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds605pF @ 15V
Potenza - Max800mW, 810mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-WDFN (3x3)

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

17-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS-DIL™

APTM20AM05FG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

317A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 158.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

448nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

27400pF @ 25V

Potenza - Max

1136W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

DMN3016LDN-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.1nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1415pF @ 15V

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

V-DFN3030-8 (Type J)

DMG4800LSD-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.56nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

798pF @ 10V

Potenza - Max

1.17W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

AO8801A

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

905pF @ 10V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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