NTLJS1102PTBG
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| Numero parte | NTLJS1102PTBG |
| PNEDA Part # | NTLJS1102PTBG |
| Descrizione | MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.088 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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NTLJS1102PTBG Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTLJS1102PTBG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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NTLJS1102PTBG Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 8V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 720mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±6V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1585pF @ 4V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WDFN (2x2) |
| Pacchetto / Custodia | 6-WDFN Exposed Pad |
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