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NTJD4105CT2

NTJD4105CT2

Solo per riferimento

Numero parte NTJD4105CT2
PNEDA Part # NTJD4105CT2
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.352
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTJD4105CT2 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTJD4105CT2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTJD4105CT2, NTJD4105CT2 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 131,5 KB)
PDFNTJD4105CT4G Datasheet Copertura
NTJD4105CT4G Datasheet Pagina 2 NTJD4105CT4G Datasheet Pagina 3 NTJD4105CT4G Datasheet Pagina 4 NTJD4105CT4G Datasheet Pagina 5 NTJD4105CT4G Datasheet Pagina 6 NTJD4105CT4G Datasheet Pagina 7 NTJD4105CT4G Datasheet Pagina 8

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NTJD4105CT2 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V, 8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C630mA, 775mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds46pF @ 20V
Potenza - Max270mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88/SC70-6/SOT-363

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 30V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

370mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-89-6

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1240pF @ 10V

Potenza - Max

450mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Diodes Incorporated

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

400mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 100mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

39pF @ 3V

Potenza - Max

280mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-353

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