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NTHL033N65S3HF

NTHL033N65S3HF

Solo per riferimento

Numero parte NTHL033N65S3HF
PNEDA Part # NTHL033N65S3HF
Descrizione MOSFET N-CH 650V 70A
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.536
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 19 - feb 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTHL033N65S3HF Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTHL033N65S3HF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NTHL033N65S3HF, NTHL033N65S3HF Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 361,06 KB)
PDFNTHL033N65S3HF Datasheet Copertura
NTHL033N65S3HF Datasheet Pagina 2 NTHL033N65S3HF Datasheet Pagina 3 NTHL033N65S3HF Datasheet Pagina 4 NTHL033N65S3HF Datasheet Pagina 5 NTHL033N65S3HF Datasheet Pagina 6 NTHL033N65S3HF Datasheet Pagina 7 NTHL033N65S3HF Datasheet Pagina 8 NTHL033N65S3HF Datasheet Pagina 9 NTHL033N65S3HF Datasheet Pagina 10

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NTHL033N65S3HF Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieFRFET®, SuperFET® III
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C70A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs188nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6720pF @ 400V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)500W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3
Pacchetto / CustodiaTO-247-3

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Produttore

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Serie

POWER MOS 8™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4415pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

415W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D3Pak

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1690pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

60W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IPSH4N03LA G

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3200pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

94W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO251-3

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Stub Leads, IPak

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

43A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

40W (Tc)

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

940pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

100W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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