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NTD80N02-001

NTD80N02-001

Solo per riferimento

Numero parte NTD80N02-001
PNEDA Part # NTD80N02-001
Descrizione MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 4.554
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTD80N02-001 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTD80N02-001
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NTD80N02-001, NTD80N02-001 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 118,32 KB)
PDFNTD80N02T4G Datasheet Copertura
NTD80N02T4G Datasheet Pagina 2 NTD80N02T4G Datasheet Pagina 3 NTD80N02T4G Datasheet Pagina 4 NTD80N02T4G Datasheet Pagina 5 NTD80N02T4G Datasheet Pagina 6 NTD80N02T4G Datasheet Pagina 7 NTD80N02T4G Datasheet Pagina 8

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NTD80N02-001 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2600pF @ 20V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)75W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI-PAK
Pacchetto / CustodiaTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Produttore

IXYS

Serie

Linear L2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

320nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

540W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

AOT414

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SDMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.6A (Ta), 43A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.9W (Ta), 115W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

SI3442CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

335pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.7W (Ta), 2.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

HUF76437S3ST

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

71A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 71A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2230pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

155W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTD4858N-35G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.2A (Ta), 73A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.2nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1563pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.3W (Ta), 54.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Stub Leads, IPak

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