NSVMUN5111DW1T3G
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| Numero parte | NSVMUN5111DW1T3G |
| PNEDA Part # | NSVMUN5111DW1T3G |
| Descrizione | TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.722 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 6 - dic 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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NSVMUN5111DW1T3G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NSVMUN5111DW1T3G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
| Datasheet |
NSVMUN5111DW1T3G, NSVMUN5111DW1T3G Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 124,76 KB)
  
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NSVMUN5111DW1T3G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 10kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 250mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 300mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSSOP |
