NSVMMUN2232LT1G
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| Numero parte | NSVMMUN2232LT1G |
| PNEDA Part # | NSVMMUN2232LT1G |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 242.154 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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NSVMMUN2232LT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NSVMMUN2232LT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato |
| Datasheet |
NSVMMUN2232LT1G, NSVMMUN2232LT1G Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 388,87 KB)
  
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NSVMMUN2232LT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 4.7 kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 246mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 300mW Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 Short Body Pacchetto dispositivo fornitore TO-92S |
