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NSVBAWH56WT1G

NSVBAWH56WT1G

Solo per riferimento

Numero parte NSVBAWH56WT1G
PNEDA Part # NSVBAWH56WT1G
Descrizione 70V ANODE SWITCH DIODE
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.996
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NSVBAWH56WT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSVBAWH56WT1G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
NSVBAWH56WT1G, NSVBAWH56WT1G Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 123,49 KB)
PDFNSVBAWH56WT1G Datasheet Copertura
NSVBAWH56WT1G Datasheet Pagina 2 NSVBAWH56WT1G Datasheet Pagina 3 NSVBAWH56WT1G Datasheet Pagina 4

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NSVBAWH56WT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie*
Tipo di diodo-
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)-
Corrente - Media Rettificata (Io)-
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If-
Velocità-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr-
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Temperatura di esercizio - Giunzione-

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SMC Diode Solutions

Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

60A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2V @ 60A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

VS-HFA15TB60STRLP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

HEXFRED®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

BAT64CW-7-F

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

GDP50P120B

Global Power Technologies Group

Produttore

Global Power Technologies Group

Serie

Amp+™

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

50A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 50A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

2984pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 135°C

RMPG06DHE3_A/53

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

6.6pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

MPG06, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

MPG06

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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