NSVBAS19LT1G
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Numero parte | NSVBAS19LT1G |
PNEDA Part # | NSVBAS19LT1G |
Descrizione | DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23 |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.228.136 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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NSVBAS19LT1G Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | NSVBAS19LT1G |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
Datasheet |
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NSVBAS19LT1G Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | - |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 120V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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