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NSV40300MDR2G

NSV40300MDR2G

Solo per riferimento

Numero parte NSV40300MDR2G
PNEDA Part # NSV40300MDR2G
Descrizione TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 3.726
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NSV40300MDR2G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSV40300MDR2G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array
Datasheet
NSV40300MDR2G, NSV40300MDR2G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 136,75 KB)
PDFNSV40300MDR2G Datasheet Copertura
NSV40300MDR2G Datasheet Pagina 2 NSV40300MDR2G Datasheet Pagina 3 NSV40300MDR2G Datasheet Pagina 4 NSV40300MDR2G Datasheet Pagina 5 NSV40300MDR2G Datasheet Pagina 6

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NSV40300MDR2G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistor2 PNP (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)3A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)40V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic170mV @ 200mA, 2A
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce180 @ 1A, 2V
Potenza - Max653mW
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

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Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 3mA, 30mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

500 @ 4mA, 2V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

80MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

MINI6-G1

CMLT5551 TR

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

160V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

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Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo di transistor

6 NPN Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 2mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

2000 @ 1A, 4V

Potenza - Max

4W

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

15-SIP Formed Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

15-SIP

2N3811U

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100µA, 1mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-78-6 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-78-6

ULN2803ADWRG4

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Produttore

Serie

-

Tipo di transistor

8 NPN Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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